場效應管，英文名為Field Effect Transistor (FET)，是一種常用的半導體器件，具有高輸入阻抗和低噪聲等優點。它的主要構成部分是源極、漏極和柵極。其中，源極和漏極電壓是場效應管工作的關鍵參數。
源極和漏極是場效應管的兩個引腳，它們分別對應著場效應管的輸入和輸出端口。源極電壓Vs是場效應管的輸入電壓，它控制著場效應管的導通狀態。漏極電壓Vd是場效應管的輸出電壓，它是由輸入電壓Vs和柵極電壓Vg共同決定的。
當源極電壓為0時，場效應管處于截止狀態，此時漏極電壓可以取任意值。當源極電壓逐漸增加時，場效應管逐漸進入飽和狀態，此時漏極電壓也隨之增加。當源極電壓達到一定值時，場效應管進入飽和狀態，此時漏極電壓基本上不能再增加。
柵極電壓Vg是場效應管的控制電壓，它決定著源極和漏極之間的電阻大小。當Vg增加時，場效應管的電阻逐漸減小，從而使得漏極電壓隨之增加。當Vg減小時，場效應管的電阻逐漸增加，從而使得漏極電壓隨之減小。
總之，源極和漏極電壓是場效應管工作中的重要參數，它們的變化會直接影響到場效應管的輸出電壓和電流。在實際電路設計中，需要根據具體的要求來確定源極和漏極電壓的取值范圍，從而保證電路的正常工作。