25n120G是一款常見的IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)芯片,其極電壓是1200伏。IGBT是一種結合了普通雙極晶體管和MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)的優點的晶體管,具有低導通電阻和高耐受電壓的優點。在許多高壓和高功率的電子設備中,IGBT都是不可或缺的元件之一。25n120G的極電壓高達1200伏,能夠承受相當大的電壓沖擊和壓力,使用時需嚴格按照規定操作,以確保設備的安全和穩定性。
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