igbt管的結構與工作原理(圖)

IGBT管是一種三端晶體管，由晶體管和MOSFET管的優點結合而成。它的結構如下圖所示：


IGBT管的結構包括PN結、N+區、P+區、漂移區和柵極。其中，PN結是IGBT管的主結構，它由P型半導體和N型半導體組成。N+區和P+區是為了降低PN結的電阻而形成的。漂移區是PN結和N+區之間的區域，它的寬度決定了IGBT管的電壓承受能力。柵極是IGBT管的控制端，通過在柵極上施加電壓來控制PN結的導通和截止。

IGBT管的工作原理如下圖所示：


當柵極電壓為零時，PN結處于截止狀態，IGBT管不導電。當柵極電壓為正時，柵極和N+區之間會形成一個電子空穴層，使得PN結處于導通狀態，IGBT管導電。當柵極電壓為負時，柵極和N+區之間會形成一個電子層，使得PN結處于截止狀態，IGBT管不導電。

因此，通過控制柵極電壓的正負來控制IGBT管的導通和截止，從而實現對電路的控制。IGBT管具有低導通電阻、高電壓承受能力、快速開關速度等優點，被廣泛應用于電力電子領域。