IR2112是一種高速低側(cè)(Negative) 雙路驅(qū)動(dòng)器芯片，適用于MOSFET和IGBT的驅(qū)動(dòng)。這種芯片的特點(diǎn)是具有低電平輸入的閾值電壓和高電平的噪聲抑制，能夠有效地保護(hù)電路。IR2112的電路圖如下：
IR2112的電路圖中包含了兩個(gè)獨(dú)立的低側(cè)驅(qū)動(dòng)器，每個(gè)驅(qū)動(dòng)器包含一個(gè)輸入端、一個(gè)輸出端和一個(gè)使能端。輸入端接收控制信號(hào)，輸出端連接MOSFET或IGBT的門極，使能端可以控制輸出是否有效。IR2112的VCC端連接電源正極，VSS端連接電源負(fù)極。
IR2112的電路圖中還包含了一個(gè)高速邏輯電路，用于將控制信號(hào)轉(zhuǎn)換為高電平或低電平的驅(qū)動(dòng)信號(hào)。這個(gè)邏輯電路的輸出連接到兩個(gè)低側(cè)驅(qū)動(dòng)器的輸入端，以控制MOSFET或IGBT的導(dǎo)通和截止。
總的來說，IR2112的電路圖非常簡(jiǎn)單，但是它具有良好的噪聲抑制和保護(hù)功能，能夠有效地控制MOSFET或IGBT的開關(guān)。因此，IR2112被廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、電力電子、電源等領(lǐng)域。